有国内节点的加速器

*** 次数：1999998 已用完，请联系开发者***

＼　＿　／ AI“芯”突围:英特尔Gaudi 3硬刚英伟达抢市场,国产芯片细分赛道谋变本文来源:时代周报 作者:郭美婷2024年,AI“芯事”迎来新节点。近日,英特尔发布了新一代AI加速器Gaudi 3。英特尔声称,新款Gaudi 3芯片与英伟达H100芯片相比,推理能力平均提高50%,能效平均提高40%,运行人工智能模型的速度是H100的1.5倍。据Intel Gaudi 3白皮书信息显示,这款产...

Stable Diffusion 3测试:英特尔 Gaudi2 比英伟达 H100 快 55%英特尔 Gaudi2 加速器比英伟达 H100 最多快 55%。根据新闻稿,Stable Diffusion 3 模型参数范围在 8 亿到 80 亿之间,本次测试使用的是 20 亿参数版本。测试选手包括英伟达的 H100“Hopper” 80 GB、A100“Ampere” 80 GB 和英特尔 Gaudi2 96 GB 加速器。在保持加速器和节点数...

＞▽＜ 储存环主体闭环!中国大科学装置HEPS有望2024年发射第一束光中新网北京12月11日电 (记者 孙自法)中国国家重大科技基础设施项目高能同步辐射光源(HEPS)12月11日迎来一项重要建设节点——其储存环加速器最后一台磁铁就位,标志着HEPS储存环主体设备安装闭环。这一可以发射比太阳亮1万亿倍光的大科学装置,有望于2024年发射第一束光...

⊙＾⊙

高能同步辐射光源增强器成功升能加速 达到设计指标来源:央视新闻客户端​​​​​​​11月17日,国家重大科技基础设施高能同步辐射光源(HEPS)增强器束流能量达到6GeV(十亿电子伏特),电荷量达到5nC(纳库)以上,成功实现电子束升能加速,达到设计要求。这是HEPS加速器建设的又一重要关键节点。高能同步辐射光源(HEPS)增强器...

＋﹏＋ 高能同步辐射光源增强器成功升能加速 达到设计指标11月17日,国家重大科技基础设施高能同步辐射光源(HEPS)增强器束流能量达到6GeV(十亿电子伏特),电荷量达到5nC(纳库)以上,成功实现电子束升能加速,达到设计要求。这是HEPS加速器建设的又一重要关键节点。 高能同步辐射光源(HEPS)增强器,主要负责将电子束流从500MeV(百万...

≥▽≤ AppsFlyer:直面2024,移动营销领域如何在变化中获得持续增长不难发现这一节点所承接的剧本同样足够深刻。日前,在由微软加速器主办、动点科技承办的微软加速器出海专场上海站活动中,通过 《在变化中获得持续增长:2024 移动营销出海洞察》这一主题演讲,AppsFlyer大中华区高级市场营销总监Susie Ma为在场嘉宾分享了在经历了更加剧变的...

∩▽∩

Gartner:国产人工智能芯片处于期望膨胀期CIO须持续关注可国产化工艺节点的新半导体技术的发展。Gartner研究副总裁季新苏表示:中国企业正在大举投资于AI技术领域,而AI加速器芯片... 该领域供应商主要为在中国运营的国内和国际企业提供数据库产品。中国的IT供应商?险管理:对中国本土IT供应商可见性的缺乏、重大安全漏洞...

以上就是全部内容，更多精彩请继续关注小编。

- END -